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九月第3周电子元器件市场资讯

九月第3周电子元器件市场资讯

九月第3周电子元器件市场资讯:

【存储芯片】

1.HBM 排挤效应延续,DRAM/NAND 吃紧,长鑫 HBM 良率仅 25%。

九月第2周电子元器件市场资讯

九月第2周电子元器件市场资讯

九月第二周电子元器件市场资讯:

【存储芯片】

1.16 层 HBM4 现货报价高达 3,500 美元 / 颗。
2.36GB ...

八月第5周电子元器件市场资讯

八月第5周电子元器件市场资讯

【存储市场(DRAM/NAND/HBM)】 1.    通用 DRAM 持续紧缺,原厂产能倾斜 HBM 三星、SK 海力士、美光持续把晶圆产能优先分配 AI 大客...

八月第4周电子元器件市场资讯

八月第4周电子元器件市场资讯

【存储芯片】1.DDR4 8Gb 现货报 22 美元、DDR5 16Gb 主流报 40 美元、LPDDR5X 128Gb 报 235 美元;服务器 DDR5 RDIMM:32GB 报 900 美...

八月第3周电子元器件市场资讯

八月第3周电子元器件市场资讯

【MLCC电容】 1.国巨表示景气有望延续至 2028 年,下游客户大量锁长期产能规避断供风险,本季标准品出货占比由八成升至九成以上,交期拉长至 12‑16 个月。 ...

八月第一周电子元器件市场资讯

八月第一周电子元器件市场资讯

【存储芯片】 1. 长鑫存储LPDDR6研发接近收尾,国产高端移动DRAM即将迈入新阶段。 2. 三星HBM4已量产出货、HBM4E送样客户,韩厂高端AI存储竞争加剧。...

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