【存储市场（DRAM/NAND/HBM）】
1. 通用 DRAM 持续紧缺，原厂产能倾斜 HBM 三星、SK 海力士、美光持续把晶圆产能优先分配 AI 大客户（HBM、DDR5），通用 DRAM 现货供给满足率不足 50%，渠道拿料困难，原厂对中小客户配额收紧。
2. DDR5：16Gb 现货维持高位，8 月下旬小幅震荡，部分容量继续抬升；
3. DDR4：现货高位运行，模组厂、白牌 OEM 缺料明显；
4. 消费移动类：eMMC、部分 LPDDR4X 反而走弱，终端消费电子库存偏高，64GB eMMC、48/64Gb LPDDR4X 现货价格小幅下修，渠道有库存释放，消费类与 AI 服务器存储出现明显分化。
5. MLC NAND 环比上涨，SLC NAND 机构预测后续季度每季度或涨 50%，工控、车载需求拉动明显；
6. TLC NAND 不同容量涨跌分化；铠侠 8 月 27 日官宣巨额扩产计划，2032 年前合计 5 万亿日元投向 NAND，新建 Fab3，应对 AI 存储需求，扩产落地要到 2029 年，短期无法缓解当前紧缺国际金融报。
7. 长鑫 LPDDR6 已实现量产，送样关键客户，速率 12800Mbps，面向移动端、汽车、服务器，推进验证阶段。
【被动器件（MLCC/电感）】
1. 三星电机官宣 Q4 调价（TrendForce）
2. 消费级 X5R：OEM 报价上调25 30%
3. AI 服务器高端 X6S：上调10 20% 调价目的不只是增收，意在抑制过度下单，把产能向 AI 服务器高容 MLCC 倾斜。一台 8 卡 AI 训练服务器 MLCC 用量约4.8 万颗，远高于普通服务器 2200 颗，拉动高端高容型号需求爆发。
4. 8月27日，瑞银数据显示，7月11日至8月9日全球MLCC分销商库存量再降8%，续创历史新低，库存值增10%，单价指数涨7%。
5. 麦捷科技：TLVR 通过英伟达 Rubin 平台可靠性验证，进入 AVL 名录，小批量交付，当前整体份额仍偏低（不足 5%），定位三供 / 备份供应商；同时 224G Bias Tee 光模块电感批量供货国内头部光模块厂。