【MLCC电容】
1.国巨表示景气有望延续至 2028 年，下游客户大量锁长期产能规避断供风险，本季标准品出货占比由八成升至九成以上，交期拉长至 12‑16 个月。
2.村田暂未发布新一轮正式涨价函，但订单出货比 BB 维持高位，优先保障海外 AI 大客户长协，散单、中小客户配额收紧。
3.BB（订单出货比）：村田 1.30、三星电机 1.31、太阳诱电 1.25，订单量显著大于出货能力。
4.AI 服务器单机 MLCC 用量大幅抬升，新一代 Rubin 机柜单柜 MLCC 价值量由 1530 美元拉升至 4320 美元；MLCC 成为 AI 服务器 BOM 第三大成本项，仅次于 GPU、存储芯片。
【存储NAND / DRAM】
一、【NAND 闪存】
1.SK 海力士‑大连工厂：多家媒体 8.13‑8.15 报道，SK 海力士 Solidigm 重启大连 NAND 基地 2 号工厂建设；新产线规划月投片 5 万片成熟制程晶圆，2026 年 11 月设备进场，2027 年上半年量产；叠加 1 号厂现有 10 万片 / 月产能，大连基地总产能提升约 50%。
2.长江存储：Counterpoint 2026Q2 报告，长江存储 NAND 闪存出货市占率 14%，首次跻身全球前三，微弱优势超越铠侠，仅次于三星 25%、SK 海力士 22%。
3.铠侠、闪迪：推出第九代 2Tb QLC 3D NAND 闪存，采用 6 平面架构，接口速率 4.8Gb/s，带宽、能效较上代提升，面向 AI 服务器、高端消费存储市场。
二、【DRAM】
专利风险预警：美国 Netlist 发起 DRAM 相关 337 调查，美光、联想等列为被告；国内存储上下游需跟踪案件进展，提前预案，防范北美市场出口限制风险。