九月第二周电子元器件市场资讯：
【存储芯片】
1.16 层 HBM4 现货报价高达 3,500 美元 / 颗。
2.36GB HBM3E 现货约 2,100 美元，长协仅365–510 美元，溢价 4–5 倍；韩元计价一度达 287 万韩元，最高约为长协价的 5 倍。
3.三星已将 2031 年前约 70% 的存储产能锁定给英伟达、微软等大客户，但连这些巨头都无法拿到合约约定的全部供货量。
4.韩国贸易协会数据：用于 HBM 与 LPDDR 等 AI 芯片的 DRAM 出口单价已从 5 月的 16.76 美元上涨至 7 月的 22.9 美元。
5.DDR4 8Gb（1G×8） 颗粒现货均价报45 美元上方，当日续涨近1%；16Gb 颗粒均价站上93 美元。
6.DDR5 16Gb 现货均价约54 美元。
7.合约市场：8 月主流 PC DRAM（DDR4 8Gb）均价环比再涨 4.2%，创该机构有记录以来新高；现货较合约溢价仍高，渠道缺货状态未见缓解。
8.NOR Flash：2026 上半年合约价累计涨幅突破 100%，高容量产品下半年仍有 60%–65% 调涨空间。
9.长鑫存储 10,667Mbps LPDDR5X 量产，努比亚 NaviX Ultra 首发，国产最高速率移动 DRAM 首次商用。
2.8 月已先对部分分销商提价。
2.ADI：已通知自 9/13 起涨价（8 月下旬发出）。
3.TI 紧缺系列：TPS、UCC、OPA、ISO、BQ 等系列原厂产能紧张。
4.ST：不到五个月内完成年内第三轮涨价（8/23 宣布第三轮），车用 MCU 累计 +15%–20%。
5.STM32 大量型号交期从 3 月的 20–30 周飙至 40–52 周。
6.功率器件交期普遍 30 周 +，部分达 52 周。
7.华虹宏力宣布总投资 69.5 亿美元（约合 468 亿元人民币）扩建无锡 12 英寸特色工艺产线，月产能规划 5.5 万片，聚焦非易失性存储、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺平台。
【存储芯片】
1.16 层 HBM4 现货报价高达 3,500 美元 / 颗。
2.36GB HBM3E 现货约 2,100 美元，长协仅365–510 美元，溢价 4–5 倍；韩元计价一度达 287 万韩元，最高约为长协价的 5 倍。
3.三星已将 2031 年前约 70% 的存储产能锁定给英伟达、微软等大客户，但连这些巨头都无法拿到合约约定的全部供货量。
4.韩国贸易协会数据：用于 HBM 与 LPDDR 等 AI 芯片的 DRAM 出口单价已从 5 月的 16.76 美元上涨至 7 月的 22.9 美元。
5.DDR4 8Gb（1G×8） 颗粒现货均价报45 美元上方，当日续涨近1%；16Gb 颗粒均价站上93 美元。
6.DDR5 16Gb 现货均价约54 美元。
7.合约市场：8 月主流 PC DRAM（DDR4 8Gb）均价环比再涨 4.2%，创该机构有记录以来新高；现货较合约溢价仍高，渠道缺货状态未见缓解。
8.NOR Flash：2026 上半年合约价累计涨幅突破 100%，高容量产品下半年仍有 60%–65% 调涨空间。
9.长鑫存储 10,667Mbps LPDDR5X 量产，努比亚 NaviX Ultra 首发，国产最高速率移动 DRAM 首次商用。
【被动器件MLCC】
2.8 月已先对部分分销商提价。
【其他资讯】
2.ADI：已通知自 9/13 起涨价（8 月下旬发出）。
3.TI 紧缺系列：TPS、UCC、OPA、ISO、BQ 等系列原厂产能紧张。
4.ST：不到五个月内完成年内第三轮涨价（8/23 宣布第三轮），车用 MCU 累计 +15%–20%。
5.STM32 大量型号交期从 3 月的 20–30 周飙至 40–52 周。
6.功率器件交期普遍 30 周 +，部分达 52 周。
7.华虹宏力宣布总投资 69.5 亿美元（约合 468 亿元人民币）扩建无锡 12 英寸特色工艺产线，月产能规划 5.5 万片，聚焦非易失性存储、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺平台。