十月第3周电子元器件市场资讯

【存储芯片】

1.长鑫科技前三季度预盈 1310-1325 亿元实现扭亏，拟回购 10-20 亿元股份；DRAM 产能快速放量，全球份额逼近 10%。

2.消费级 DDR5 大幅涨价，32GB 套条突破 400 美元；NAND 现货单月上涨超 30%，车企反馈内存成本压力已超过电池原材料。

3.三星 HBM4E 计划明年量产，采用 HCB 混合铜键合技术，热阻降低 20%；英伟达要求 HBM 供应商基底裸片采用台积电 3nm 工艺。

4.美光退出消费内存业务，产能全部转向 AI 企业级存储；SK 海力士 Q3 业绩预期上修，营业利润率预估 78.4%。

【被动器件】

1.三星电机 Q4 消费级 MLCC 拟再涨 25%-30%，AI 服务器高容 MLCC 涨幅 15%-35%，大额长协锁定 2027 全年产能。

2.车规 MLCC 行情分化，高压高容车载料供货紧张，传统老款车规料逐步进入 EOL 停产。

3.工控中高压 MLCC 配额收紧、交期拉长；普通消费 MLCC 供给充足，国产替代选型空间大。

【其他资讯】

1.日本批准台积电熊本二厂生产 3nm 芯片，为日本本土首条 3nm 产线，2028 年底量产。

2.中科曙光曙光 8000 全国产十万卡 AI 超集群落地，自研 400G scaleFabric 网络实现国产 RDMA 突破。