十月第2周电子元器件市场资讯

【存储芯片】

1.长鑫 4F² DRAM 架构取得关键进展，引发全球存储板块震荡；行业基本面仍坚挺，存储价格维持上涨通道。

2.英特尔 CEO 预警未来 2-3 年 AI 硬件持续短缺；DDR4 合约价三个月涨 24% 反超 DDR5，内存短缺或延续至 2029 年。

3.ASML 三季度业绩显示，2027-2028 年半导体设备供给仍难满足需求，先进制程交付存在时间差。

4.三星与 AMD 推出 CXL 内存扩展方案，用于 AI 服务器容量扩容，与 HBM 形成互补而非替代。

【被动器件】

1.三星电机年内累计 4 份 MLCC 长协锁定至 2027 年底，订单总额 2.11 万亿韩元，高端产能缺口持续 2-3 年。

2.村田启动消费级 MLCC 结构性停产，产能向 AI 超高容产品倾斜；最终出货截至 2029 年，供给收缩周期长。

3.国内 MLCC 迎国产替代窗口期，风华高科、三环集团等龙头 Q3 涨价红利集中兑现，量价齐升。

【其他资讯】

1.浪潮信息前三季度净利预增超 156%，AI 服务器需求旺盛驱动业绩大幅增长。

2.粤芯半导体 10 月 13 日创业板挂牌上市，募资超 61 亿元，聚焦工业与车规特色工艺制造。