【存储芯片】
1.南亚科大手笔扩产DRAM
上调2026年资本支出至697亿新台币,2026-2029年最高投入3466亿新台币兴建5A新厂,采用EUV设备量产10纳米级DRAM,2027下半年投产、2029年月产能3.59万片,锚定 AI服务器需求;但全球集体扩产或造成2027年后产能过剩压力。
2.DRAM缺货连锁影响苹果新品
台积电苹果A20 Pro(2nm)处理器因DRAM短缺卡在WMCM封装环节,拖累 iPhone 18 备货,苹果存储主要由美光、SK 海力士、三星供应;不过 HPC 高算力需求优先级更高,此次缺货对台积电整体营收影响可控。
3.长鑫存储国产替代全面突破
回绝苹果低价采购诉求:产能被国内大厂长单锁定(字节 5 年 70 亿美元、腾讯 200 亿服务器存储、华为小米移动端 DRAM),订单排至 2027 年,报价对标甚至高于韩系厂商;
4.NOR Flash 涨价周期延续
华邦电子 Q2 业绩创历史新高,受益 DRAM 上行周期;行业预判华邦、旺宏 NOR Flash 缺货涨价行情将贯穿三季度。
【MLCC 被动元器件】
整体呈现冰火两重天的结构性供需:
1.高端车规 / AI 服务器高容 MLCC:极度紧缺
22μF、47μF 耐高温车规、AI 服务器专用型号断货,代理商优先保障核心大客户;单台 AI 服务器 MLCC 用量 3000-4000 颗,为传统服务器 2 倍,算力设备持续挤占高端产能。
2.低端消费级常规 MLCC:供给过剩
1μF、10μF 通用消费类物料库存充足,国产厂商开启降价促销去库存模式。

