无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~250V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
产品分类:
1.沟槽型（Trench）功率MOSET（12V-200V）:N沟道、P沟道、N+P沟道
2.屏蔽栅沟槽型（Super Trench ）功率MOSET（30V-150V）
3. 超结（Super Junction）功率 MOSET（600V-900V）
4.IGBT
一、沟槽型（Trench）功率MOSET
新洁能结合最先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，我们推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
特点与优势：
·低FOM（Rdson*Qg） ·高雪崩耐量，100%经过EAS测试 ·低反向恢复电荷（Qrr），低反向恢复峰值电流（Irm）
·抗静电能力（ESD） ·抗静电能力（ESD） ·符合RoHS标准
应用：
·各类锂电池保护模块 ·手机、平板电脑等便携式数码产品电源管 ·LED TV等消费类电子产品电源
·电动交通工具控制器 ·不间断电源，逆变器和各类电力电源 ·LED照明
二、屏蔽栅沟槽型（Super Trench ）功率MOSET
目前推出的量产品种包含30V~230V的电压系列，同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。
特点与优势：
·极低的Rdson ·极低的Qg和Qgd ·极低的FOM（Rdson*Qg） ·高温下的电流能力更强
·快速柔软恢复的体二极管特性 ·低Crss/Ciss，增强抗EMI能力 ·高UIS耐量，100%出厂测试 ·符合RoHS标准
应用：
·交流/直流电源的同步整流 ·直流电机驱动 ·逆变器 ·电池充电器和电池保护电路
·36V-96V系统中的马达控制 · 隔离的直流-直流转换器 · 不间断电源
三、超结（Super Junction）功率 MOSET
通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，推出 Super Junction MOSFET III
系列产品。其具有更快的开关速度、更低的导通损耗，极低的栅极电荷（Qg），从而降低了器件的功率损耗，提 高系统效率。 Super Junction MOSFET III 系列产品具有更优的雪崩耐量和 ESD 能力，提高了器件应用中的可靠 性。同时，该系列产品采用自主创新技术，优化了器件开关特性，使其在系统应用中具有更好的 EMI 表现，为系 统设计提供更大的余量。
Super Junction MOSFET III 技术目前推出的产品包含 500V、600V、650V、700V、800V 普通系列；以及针对 全桥、半桥、LLC 谐振开关等应用，优化体二极管特性的 500V、650V TF 系列；同时为您提供 TO-263、TO-252、 TO-220、TO-220F、TO-247 在内的多款封装外形选择。
产品特征：
·卓越的功率转换效率 ·极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A）
·极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg） ·更小的封装体积 ·卓越的EAS能力（100% EAS测试）
产品应用：
· 电脑、服务器的电源 · 适配器（笔记本电脑，打印机等
· 照明（HID/LED照明，工业照明，道路照明等 · 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）
四、IGBT
针对不同的应用需求，推出了完善的IGBT产品系列，确保在特定应用中，器件保持最佳工作状态，助您实现最理想的整机效率。
对于焊接、太阳能、UPS、电机驱动和家用电器等硬开关应用，推出了低速（<20KHZ）和高速系列（<60KHZ）产品系列，提供各种封装形式，方便用户灵活设计。
对于感应加热、太阳能等谐振开关应用，推出了新一代1200V、1350V产品系列，具有高击穿电压、大通流容量等优势；与反并联二极管或单片集成二极管合并封装，方便应用设计。
特点与优势：
- 低导通压降（VCEsat） - 低开关损耗（Ets） -短路能力10us - 低电磁干扰
- 电参数重复性和一致性 - 高可靠性 - 高温稳定性 - 符合RoHS标准
应用：
- 电机驱动 - 逆变焊机 - 不间断电源UPS - 变频器
- 工业逆变器 - 太阳能功率转换器 - 电磁感应加热 - 谐振开关应用
