一、
电子元器件大多数都是从国外进口，因为涉及到国际快递成本，数量少还没有什么关系，一旦批量有些重量就关系到成本了，以下这几种方式可以确认电子元器件重量的方法：
1.可以直接在规格书上面查找，一些比较特殊的电子元器件，里面直接会有标明重量
2.在原厂或者代理网站查看，有些上面会有说明参数，其中会有重量一栏。
3.一些常见封装的重量统计有：
SOP14 0.36kg/1000pcs
SOP16 0.4kg/1000pcs
DIP6 1.2kg/1000pcs
DIP16 2.1kg/1000pcs
DIP20 3.0kg/1000pcs
DIP28 9kg/1000pcs
48TSSOP 1.3kg/1000pcs
TO-220 2.8kg/1000pcs
TO-204AA(TO-3) 13kg/1000pcs
内存封装是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。
1、DIP封装
DIP封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。但DIP封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1：1.86，这样封装产品的面积较大，内存条PCB板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技术的发展，这个比值日益接近，已经有了1：1.14的内存封装技术。
2、TSOP封装
TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。
TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产生较大的信号干扰和电磁干扰。
3、BGA封装
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
4、CSP封装
CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。
5、WLCSP
WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package，晶圆级芯片封装），这种技术不同于传统的先切割晶圆，再封装测试的做法，而是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。WLCSP有着更明显的优势。首先是工艺工序大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类。所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，设备测试一次完成，这在传统工艺中都是不可想象的。其次，生产周期和成本大幅下降，WLCSP的生产周期已经缩短到1天半。而且，新工艺带来优异的性能，采用WLCSP封装技术使芯片所需针脚数减少，提高了集成度。WLCSP带来的另一优点是电气性能的提升，引脚产生的电磁干扰几乎被消除。采用WLCSP封装的内存可以支持到800MHz的频率，最大容量可达1GB！
二、
常见MOS管品牌，优缺点以及应用
欧美（一线品牌）：IR 仙童 英飞凌 ST ON Vishay AOS
日本（二线品牌）：东芝 三洋 松木 瑞萨 富士 三菱 NEC等
韩国（二线品牌）：信安 美格纳 semihow AUK KIA等
台湾（二线品牌）：富鼎先进 茂达 茂钿 UTC（友顺） CET（华润）擎力等
大陆（三线品牌）：吉林华微 杭州士兰微 广州南科 西安后裔 深圳比亚迪 深圳锐骏
小功率低压MOS管：常用型号：2301 3401 3400 3402 8205 9435 8822 9926等这些大部分应用在数码消费品领域，可以配合我们的TVS和自恢复保险丝、电感等一起推出去。低压MOS管由于技术门槛低，很多杂牌的流入市场，价格竞争非常激烈。目前国产和台湾的MOS管占领主要市场，欧美的就只有AOS和vishay有少部分高端市场。
中压大功率MOS管：这部分的半壁江山都被欧美品牌占领，主要领军的有IR，仙童，ST，英飞凌。ST的75N75主要在电动车控制器领域是老牌地位，口碑最好，100V-250V之间大部分都是IR统治，因为这部分型号功率都比较大，大概都是应用在逆变器里面，国产的目前认可度还都比较低。
高压MOS管: 600V系列，这个系列竞争也是白热化。主要分布在电源行业，其中国内市场，高端品牌主要用仙童的，中端市场用日韩的，比如东芝的2SK系列，韩国很多牌子，最有影响力的是信安，semihow，KIA，AUK。其余的市场是国产和台湾的牌子，国产的有力竞争对手是吉林华微，性价比最高，杭州士兰微和深圳比亚迪胜在价格优势，华晶的性能最稳定，但是价格最高，台湾的UTC在这个领域也很受欢迎。
800V-1200V: 这部分市场大部分还都是进口品牌的天下。
1200V以上都是用的IGBT了
MOS管：区别于三极管的电流控制，MOS管的控制端是电压信号，很小的功率就可以驱动，导通损耗也比三级管小，开关速度更好，可以过几十兆的信号，信号噪声影响比较小，是目前市场的主流。但是在超高压更大电流的情况下，MOS管的导通压降会非常大，这点是不允许的，恰恰三极管的导通压降会很小，所以IGBT就应运而生。